Адрес | |
Телефон | |
task99@mail.ru | |
Учёная степень | кандидат физико-математических наук, доцент |
Должность | Заместитель декана по научно-исследовательской работе |
Общий стаж – 27
Научно-педагогический – 25
Образование:
В 1994 г. окончил Калмыцкий государственный университет. В том же году поступил в очную аспирантуру физического факультета Санкт – Петербургского государственного университета. В 1998г. защитил кандидатскую диссертацию по теме «Исследование роли приповерхностной области в формировании экситонных спектров фотоотражения и фотопроводимости кристаллов CdS»
Ученая степень — кандидат физико-математических наук
Преподаваемые дисциплины: Физика контактных явлений, Современные проблемы материаловедения, Атомная физика, Физика твердого тела, Экспериментальные методы физики конденсированного состояния, Практикум «Атомная физика», Основы спектрального анализа, Фотоэлектрические свойства полупроводников, Методы локального анализа и анализа поверхности, Практикум «Физика атомного ядра и элементарных частиц», Анализ и обработка результатов эксперимента
Профессиональные приоритеты в области исследования низко температурных оптических и фотоэлектрических свойств полупроводниковых соединений группы А2В6.
Публикации:
- Батырев А.С. Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Шивидов Н.К. Эффекты поверхностного прилипания неравновесных носителей в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS. РАН; ЖТФ, 2013,т.83, вып. 9, с. 20-23 2013
- Батырев А.С. Бисенгалиев Р.А., Шивидов Н.К. Влияние лазерного облучения на спектры фотопроводимости кристаллов CdS . Изд-во КГУ; Вестник КГУ, 4(20), с.30-34. 2013
- Батырев А.С. Р.А. Бисенгалиев, Н.К. Шивидов, М.О. Тагиров. Исследование зависимости спектров фотопроводимости CdS от направления сканирования спектра. // Науч. журн. «Наука. Инновации. Технологии», 2014, Изд-во СКФУ, 2014
- Батырев А.С. Бисенгалиев Р.А. Шивидов Н.К., Айтаева Б.Д., Барлыкова В.В., Хатикова О.Ю. Эффекты лазерного воздействия в спектрах краевой фотопроводимости CdS. Электронный журнал «Инновационная Калмыкия», 2017
- Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Сумьянова Е.В. Влияние электронной бомбардировки на спектры фотопроводимости кристаллов CdS. Научный журнал «Пространство, время и фундаментальные взаимодействия», вып. 1, 2019.
- Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Лиджиев Б.С., Сумьянова Е.В. Влияние ионно-аргонной бомбардировки на спектральные и вольт-амперные характеристики кристаллов CdS вблизи края фундаментального поглощения. Электронный журнал «Инженерный вестник Дона», № 4, 2019
- Batyrev А.S., Bisengaliev R.A. Influence of He-Cd Laser Irradiation in Water on the State of CdS Crystal Surfaces, 2nd International Conference on Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, Barcelona, Spain, 2019, p.22
- Batyrev А.S., Batyrev E.D., Bisengaliev R.A., Mikhalyaev B.B., Novikov B.V., Shividov N.K. Effects of Electron-Hole Interaction Screening in the Photoconductivity Spectra of CdS Crystals, International Congress on Advanced Materials Sciences and Engineering, Osaka, Japan, 2019, p. 62
- Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Горяева В.Н., Новиков Б.В., Сумьянова Е.В., Эффекты ионной бомбардировки в спектрах краевой фотопроводимости и в вольт-амперных характеристиках кристаллов CdS, Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, вып. 11, с. 1015-1021
- Bisengaliev R. A., Goriaeva V. N., Electrodeposition of Metals on p-Si from Aqueous Electrolytes, Semiconductors, 2021, Vol. 55, No. 3, pp. 384–386.
Результаты интеллектуальной деятельности:
ФИО
авторов |
Вид | Наименование | Дата и номер охранного документа |
Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А.,
Шивидов Н.К., Костенко О.Ю. |
патент на полезную модель | Ячейка для снятия фоторезистивных свойств полупроводников | с 28.06.2017г. по 16.12.2026г. |
Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А.,
Чавлинова М.Б
|
Патент на полезную модель | Фоторезистор на основе монокристалла CdS, функционирующий в ближней инфракрасной области спектра | с 23.05.2019г. по 28.06.2028г
|
Барлыкова В.В., Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А.,
Шивидов Н.К.
|
Патент на изобретение | Метод оценки скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в кристаллах типа CdS по тонкой (экситонной) структуре спектров фотопроводимости | с 26.03.2019г. по 26.04.2028г.
|
Повышение квалификации:
- Удостоверение о повышении квалификации № 612407482171, от 19.10.2018г., «Организационно-управленческие основы инклюзивного профессионального образования», 72 часа, ФГАОУ ВО «Южный федеральный университет», г. Ростов-на-Дону
- Удостоверение о повышении квалификации № 713100639685 от 27.06.2019г., «Принципы создания и использования электронного курса в образовательном процессе», 72 часа, ФГБОУ ВО «Тульский государственный университет», г. Тула,
- Удостоверение о повышении квалификации № 082409585328 от 05.07.2019г., «Актуальные проблемы и задачи физики атмосферы», 72 часа, ФГБОУ ВО «Калмыцкий государственный университет им. Б.Б. Городовикова», г. Элиста;
- Удостоверение о повышении квалификации № 080400000041 от 08.07.2022г. «Современные проблемы физики и нанотехнологий», 72 часа, ФГБОУ ВО «Калмыцкий государственный университет им. Б.Б. Городовикова», г. Элиста
- Удостоверение о повышении квалификации № 160300028128 от 04.05.2022г., «Цифровые технологии в преподавании профильных дисциплин», 144 часа, АНО ВО «Университет Иннополис», г. Иннополис
Участие конференциях
- 2nd International Conference on Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (ICSON-2019) – Barcelona, Spain -2019
- XVIII международной научной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» г. Ульяновск: 2015
- World Congress on PHYSYCS, — Berlin, Germany -2019
- Межрегиональная научно-практическая конференция «Наука XXI века: вызовы и перспективы» — Элиста — 2019