Бисенгалиев Рустем Александрович


Адрес
Телефон
e-mail task99@mail.ru
Учёная степень кандидат физико-математических наук, доцент
Место работы Факультет математики, физики и информационных технологий
Кафедра экспериментальной и общей физики
Должность Заместитель декана по научно-исследовательской работе

Общий стаж – 27

Научно-педагогический – 25

 

Образование:

В 1994 г. окончил Калмыцкий государственный университет. В том же году поступил в очную аспирантуру физического факультета Санкт – Петербургского государственного университета. В 1998г. защитил кандидатскую диссертацию по теме «Исследование роли приповерхностной области в формировании экситонных спектров фотоотражения и фотопроводимости кристаллов CdS»

 

Ученая степень — кандидат физико-математических наук

 

Преподаваемые дисциплины: Физика контактных явлений, Современные проблемы материаловедения, Атомная физика, Физика твердого тела, Экспериментальные методы физики конденсированного состояния, Практикум «Атомная физика», Основы спектрального анализа, Фотоэлектрические свойства полупроводников, Методы локального анализа и анализа поверхности, Практикум «Физика атомного ядра и элементарных частиц», Анализ и обработка результатов эксперимента

 

Профессиональные приоритеты в области исследования низко температурных оптических и фотоэлектрических свойств полупроводниковых соединений группы А2В6.

 

Публикации:

  1. Батырев А.С. Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Шивидов Н.К. Эффекты поверхностного прилипания неравновесных носителей в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS. РАН; ЖТФ, 2013,т.83, вып. 9, с. 20-23 2013
  2. Батырев А.С. Бисенгалиев Р.А., Шивидов Н.К. Влияние лазерного облучения на спектры фотопроводимости кристаллов CdS . Изд-во КГУ; Вестник КГУ, 4(20), с.30-34. 2013
  3. Батырев А.С. Р.А. Бисенгалиев, Н.К. Шивидов, М.О. Тагиров. Исследование зависимости спектров фотопроводимости CdS от направления сканирования спектра. // Науч. журн. «Наука. Инновации. Технологии», 2014, Изд-во СКФУ, 2014
  4. Батырев А.С. Бисенгалиев Р.А. Шивидов Н.К., Айтаева Б.Д., Барлыкова В.В., Хатикова О.Ю. Эффекты лазерного воздействия в спектрах краевой фотопроводимости CdS. Электронный журнал «Инновационная Калмыкия», 2017
  5. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Сумьянова Е.В. Влияние электронной бомбардировки на спектры фотопроводимости кристаллов CdS. Научный журнал «Пространство, время и фундаментальные взаимодействия», вып. 1, 2019.
  6. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Лиджиев Б.С., Сумьянова Е.В. Влияние ионно-аргонной бомбардировки на спектральные и вольт-амперные характеристики кристаллов CdS вблизи края фундаментального поглощения. Электронный журнал «Инженерный вестник Дона», № 4, 2019
  7. Batyrev А.S.,  Bisengaliev R.A. Influence of He-Cd Laser Irradiation in Water on the State of CdS Crystal Surfaces, 2nd International Conference on Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, Barcelona, Spain, 2019, p.22
  8. Batyrev А.S., Batyrev E.D., Bisengaliev R.A., Mikhalyaev B.B., Novikov B.V., Shividov N.K. Effects of Electron-Hole Interaction Screening in the Photoconductivity Spectra of CdS Crystals, International Congress on Advanced Materials Sciences and Engineering, Osaka, Japan, 2019, p. 62
  9. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Горяева В.Н., Новиков Б.В., Сумьянова Е.В., Эффекты ионной бомбардировки в спектрах краевой фотопроводимости и в вольт-амперных характеристиках кристаллов CdS, Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, вып. 11, с. 1015-1021
  10. Bisengaliev R. A., Goriaeva V. N., Electrodeposition of Metals on p-Si from Aqueous Electrolytes, Semiconductors, 2021, Vol. 55, No. 3, pp. 384–386.

 

Результаты интеллектуальной деятельности:

ФИО

авторов

 Вид Наименование Дата и номер охранного документа
Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А.,

Шивидов Н.К.,

Костенко О.Ю.

 патент на полезную модель Ячейка для снятия фоторезистивных свойств полупроводников с 28.06.2017г. по 16.12.2026г.
Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А.,

Чавлинова М.Б

 

 Патент на полезную модель Фоторезистор на основе монокристалла CdS, функционирующий в ближней инфракрасной области спектра с 23.05.2019г. по 28.06.2028г

 
Барлыкова В.В., Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А.,

Шивидов Н.К.

 

 Патент на изобретение Метод оценки скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в кристаллах  типа  CdS по тонкой (экситонной) структуре спектров фотопроводимости с 26.03.2019г. по 26.04.2028г.

 

 

Повышение квалификации:

  1. Удостоверение о повышении квалификации № 612407482171, от 19.10.2018г., «Организационно-управленческие основы инклюзивного профессионального образования», 72 часа, ФГАОУ ВО «Южный федеральный университет», г. Ростов-на-Дону
  2. Удостоверение о повышении квалификации № 713100639685 от 27.06.2019г., «Принципы создания и использования электронного курса в образовательном процессе», 72 часа, ФГБОУ ВО «Тульский государственный университет», г. Тула,
  3. Удостоверение о повышении квалификации № 082409585328 от 05.07.2019г., «Актуальные проблемы и задачи физики атмосферы», 72 часа, ФГБОУ ВО «Калмыцкий государственный университет им. Б.Б. Городовикова», г. Элиста;
  4. Удостоверение о повышении квалификации № 080400000041 от 08.07.2022г. «Современные проблемы физики и нанотехнологий», 72 часа, ФГБОУ ВО «Калмыцкий государственный университет им. Б.Б. Городовикова», г. Элиста
  5. Удостоверение о повышении квалификации № 160300028128 от 04.05.2022г., «Цифровые технологии в преподавании профильных дисциплин», 144 часа, АНО ВО «Университет Иннополис», г. Иннополис

 

Участие конференциях

  1. 2nd International Conference on Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (ICSON-2019) – Barcelona, Spain -2019
  2. XVIII международной научной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» г. Ульяновск: 2015
  3. World Congress on PHYSYCS, — Berlin, Germany -2019
  4. Межрегиональная научно-практическая конференция «Наука XXI века: вызовы и перспективы» — Элиста — 2019