Батырев Александр Сергеевич


Адрес
Телефон 8 (84722) 3-90-11
e-mail
Учёная степень кандидат физико-математических наук
Место работы Факультет математики, физики и информационных технологий
Кафедра экспериментальной и общей физики
Должность Заведующий кафедрой экспериментальной и общей физики

Общий стаж – 43

Научно-педагогический – 43

 

Образование:

В 1973 г. окончил факультет теоретической и экспериментальной физики Московского инженерно-физического института с присвоением квалификации «Инженер-физик» по специальности «Дозиметрия и защита». Тема дипломной работы «Радиационная стойкость некоторых материалов». В 1977 — 1980 г.г. обучался в аспирантуре Ленинградского государственного университета. В 1983 г. защитил кандидатскую диссертацию по специальности «Физика твердого тела» в диссертационном Совете Ленинградского (Санкт — Петербургского) государственного университета по теме «Взаимодействие экситонов с поверхностью в кристаллах CdSe. В 1992 г. закончил докторантуру Санкт — Петербургского госуниверситета.

 

Ученая степень  — кандидат физико-математических наук

Ученое звание – доцент

 

Преподаваемые дисциплины:  Ядерная  физика,  Квантовая  физика,  История и методология физики.

 

Профессиональные приоритеты в области оптической и фотоэлектрической спектроскопии полупроводников, включая экситонную спектроскопию поверхности полупроводника. Создал в КалмГУ учебно-научную лабораторию по оптическим свойствам твердого тела.

 

Публикации:

  1. Батырев А.С. Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Сумьянова Е.В.. Люминесценция кристаллов CdS, обусловленная приповерхностными флуктуациями потенциала. РАН; Оптика и спектроскопия, т.114, № 2, 2013,
  2. Батырев А.С. Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Сумьянова Е.В.. Стабилизация спайка в спектрах экситонного отражения света кристаллов CdSe, подвергнутых облучению низкоэнергетическими электронами. РАН; Оптика и спектроскопия, т.114, № 3, 2013,
  3. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В. «Аномальный» спектральный фоторезистивный эффект поля в кристаллах CdS, обусловленный экранированием электрон-дырочного взаимодействия. РАН; ФТТ, т.55, вып. 4, 2013
  4. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В. Эффект поверхностного рассеяния носителей в спектрах фотопроводимости CdS. РАН; ФТП, т.47, вып. 5, 2013,
  5. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Лиджиев Б.С., Сумьянова Е.В.. Индуцированная термической обработкой «примесная» краевая фотопроводимость кристаллов CdS. РАН; ЖТФ, т.83,вып.9, 2013,
  6. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Тагиров М.О. Формирование экситонной структуры в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS при модулированном возбуждении. РАН; ФТП, т.47, вып. 9, 2013,
  7. Батырев А.С. Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Шивидов Н.К. Эффекты поверхностного прилипания неравновесных носителей в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS. РАН; ЖТФ, т.83, вып. 9, 2013,
  8. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Шивидов Н.К. Влияние лазерного облучения на спектры фотопроводимости кристаллов CdS. Изд-во КГУ; Вестник КГУ, 4(20), с.30-34. 2013.
  9. Батырев А.С. Р.А. Бисенгалиев, Н.К. Шивидов, М.О. Тагиров. Исследование зависимости спектров фотопроводимости CdS от направления сканирования спектра.// Науч. журн. «Наука. Инновации. Технологии». Изд-во СКФУ, 2014.
  10. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Шивидов Н.К., Айтаева Б.Д., Барлыкова В.В., Хатикова О.Ю. Эффекты лазерного воздействия в спектрах краевой фотопроводимости CdS. Электронный журнал «Инновационная Калмыкия», 2017.
  11. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Нурметьов Т., Саргинов С.С., Сумьянова Е.В., Халиков Н. Влияние ионно-аргонной бомбардировки на спектры краевой фотопроводимости кристаллов CdS. Науч. Журнал «Тенденции развития науки и образования», изд-во НИЦ «Л-Журнал», № 48, ч.5, 2019
  12. Batyrev А.S., Batyrev E.D., Bisengaliev R.A., Mikhalyaev B.B., Novikov B.V., Shividov N.K. Effects of Electron-Hole Interaction Screening in the Photoconductivity Spectra of CdS Crystals, International Congress on Advanced Materials Sciences and Engineering, Osaka, Japan, 2019,
  13. Batyrev А.S., Batyrev E.D., Bisengaliev R.A., Novikov B.V. Effects of Bivalence of Self-Defective Centers in the Optical Spectra of CdS and CdSe Crystals, World Congress on PHYSYCS, October 17-18, Berlin, Germany, 2019
  14. Bisengaliev R.A.,Goryaeva V.N., Sumyanova E.V., Novikov B.V. Effects of ion bombardment on the spectra of the edge photoconductivity and in the current–voltage characteristics of CdS crystals, Semiconductors. 2022. Т. 56. № 1., 2022

 

Результаты интеллектуальной деятельности:

ФИО

авторов

 Вид Наименование Дата и номер

охранного документа
Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А.,

Шивидов Н.К.,

Костенко О.Ю.

 патент на полезную модель Ячейка для снятия фоторезистивных свойств полупроводников с 28.06.2017г. по 16.12.2026г.
Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А.,

Чавлинова М.Б

 

 Патент на полезную модель Фоторезистор на основе монокристалла CdS, функционирующий в ближней инфракрасной области спектра с 23.05.2019г. по 28.06.2028г

 
Барлыкова В.В., Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А.,

Шивидов Н.К.

 

 Патент на изобретение Метод оценки скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в кристаллах  типа  CdS по тонкой (экситонной) структуре спектров фотопроводимости с 26.03.2019г. по 26.04.2028г.

 

 

Повышение квалификации:

  1. Удостоверение о повышении квалификации № 082409585326 от 05.07.2019г., «Актуальные проблемы и задачи физики атмосферы», 72 часа, ФГБОУ ВО «Калмыцкий государственный университет им. Б.Б. Городовикова», г. Элиста;
  2. Удостоверение о повышении квалификации № 612407475347, от 24.06.2019г., «Организационно-управленческие основы инклюзивного профессионального образования», 72 часа, ФГАОУ ВО «Южный федеральный университет», г. Ростов-на-Дону
  3. Удостоверение о повышении квалификации № 713100639687 от 27.06.2019г., «Принципы создания и использования электронного курса в образовательном процессе», ФГБОУ ВО «Тульский государственный университет», г. Тула
  4. Удостоверение о повышении квалификации № 080400000039 от 08.07.2022г. «Современные проблемы физики и нанотехнологий», 72 часа, ФГБОУ ВО «Калмыцкий государственный университет им. Б.Б. Городовикова», г. Элиста

 

Участие в конференциях

  1. XVIII международной научной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» г. Ульяновск: 2015
  2. International Congress on Advanced Materials Sciences and Engineering (ICAMSE- 2019) — Osaka, Japan — 2019

3.   BIT’s 5th Annual World Congress of Smart Materials — Rome, Italy — 2019

  1. Межрегиональная научно-практическая конференция «Наука XXI века: вызовы и перспективы» — Элиста – 2019